жертвенные слои при проведении процессов травления

На основе разработанного ФПМ получено тепловизионное изображение.

Температурное разрешение .............. 39 мК

Среднее значение пороговой мощности......... 2x10-12 Вт

Число дефектных элементов ФПМ........... 4 %

Время накопления .................0,48 мс

Рабочая температура ФПМ ..............67 К

Частота кадров................... 25 Гц

Положение максимума спектральной чувствительности .. 9,2 мкм

Шаг элементов ФПМ .................30 мкм

Формат ФПМ ................... 320х256

Основные параметры модуля:

Изготовлен и испытан фотоприемный модуль (ФПМ) на основе многослойных структур с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs.

Сектор физико-технических проблем микросборки многоэлементных приборных устройств.

Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А3В5.

Лаборатория кинетических явлений в полупроводниках.

В.В.Шашкин, М.А.Демьяненко, А.И.Козлов, А.Г.Клименко, И.В.Марчишин, В.Н.Овсюк, П.Ю.Пак, А.П.Савченко

ГОД: | | | | | | | | |

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА Сибирского отделения РАН

ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ им. А.В.РЖАНОВА СО РАН